[1] 1.2mm x 0.8mm [2] MOSFET閘極驅動積體電路。東芝調查,截至2022年2月。
(除非另有約定,否則Ta=25°C)
組件編號
TCK421G
封裝
名稱
WCSP6G
尺寸 (mm)
1.2×0.8 (典型值)、
t=0.35 (最大值)
工作
範圍
輸入電壓 VIN (V)
@Ta= -40 至 85°C
2.7 至 28
電氣
特性
VIN UVLO 閾值, Vout 下降
VIN_UVLO 典型值/最大值 (V)
@Ta= -40 至 85°C for VIN_UVLO max
2.0/2.5
VIN UVLO 滯後 VIN_UVhyst
典型值 (V)
–
0.2
VIN OVLO 閾值, Vout 下降
VIN_OVLO 最小值/最大值 (V)
22.34/24.05
VIN OVLO 滯後
VIN_OVhyst 典型值 (V)
0.12
輸入靜態電流
(通態) [3]
IQ(ON) 典型值 (μA)
@VIN=5V
140
@VIN=12V
185
待機電流
(關斷)
IQ(OFF) 最大值 (μA)
@VIN=5V, Ta= -40 至 85°C
0.5
@VIN=12V, Ta= -40 至 85°C
0.9
閘極驅動電壓
(VGATE1-VIN)
(VGATE2-VIN)
VGS 最小值/典型值/最大值
(V)
@VIN=2.7V
8/9.2/10
9/10/11
@VIN=9V
@VIN=20V
VGS 導通時間
tON 典型值 (ms)
@VIN=5V, CGATE1,2=4000pF
2.9
VGS 關斷時間
tOFF 典型值 (μs)
VIN=5V, @CGATE1,2=4000pF
52
OVLO VGS 關斷時間
tOVP 典型值 (μs)
@CGATE1,2=4000pF
34