「新世代數位基礎設施建設」專案的目標是要在實現碳中和社會的過程中,針對節能化和高性能化,促進其中不可或缺的數位基礎設施的研發及社會實際應用。而本專案希望透過提高新世代半導體製造技術能力,加速其在電動車和工控設備等領域中的普及。

一直以來,ROHM在SiC功率半導體的研發和量產方面都是走在時代前端。SiC功率半導體與以往的Si功率半導體相比,功率損耗非常小,因此可實現應用設備的小型輕量化,有望大幅提高數位基礎設施的節能性和性能。
ROHM將透過本專案,致力開發使用大直徑晶圓(8英寸)的製程和製造技術,加快採用該晶圓的新世代SiC MOSFET的開發和量產速度,藉由對各類型應用設備的節能化和小型化有所貢獻,助力永續發展社會的實現。

 

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