注2 175℃のソース?ドレイン電流測定において, 當社従來型SBD內蔵MOSFETでは110A/cm2付近でPNダイオードが動作するのに対し, 今回開発した構造では250A/cm2までPNダイオードが動作しない。
注3 室溫における単位面積あたりの特性オン抵抗を當社従來型SBD內蔵MOSFETと比較。耐圧3.3kV素子では20%、耐圧1.2kV素子では39%低減することを確認した。當社調べ。
注4 PNダイオード:p型半導體とn型半導體が一つの結晶內でつながったダイオードのこと。
注5 當該技術の詳細は、2020年7月の當社ニュースリリース「SiC MOSFETの信頼性を向上させるデバイス構造を開発」を參照。
注6 ショットキーバリアダイオード:金屬とn型半導體が一つの結晶內でつながったダイオード。

今回開発したデバイス構造

今回開発したデバイス構造

今回開発したデバイス構造による信頼性の改善(當社比)

今回開発したデバイス構造による信頼性の改善(當社比)


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