注2 HBM(Human Body Model):人體が靜電気の発生源となり、そこから靜電気放電が生じることでデバイスに損傷を起こすことを想定したモデルのこと。HBM耐量が高いと、靜電気によるデバイスの損傷に対する耐性が高い。
注3 バックゲート比率:東芝デバイス&ストレージでは、LDMOSのソースとバックゲートの取り出し拡散層を縦方向に交互に配置しており、バッグゲート比率は、ソース幅とバックゲート幅の合計値に占めるバックゲート幅の割合のことを指す。
注4 寄生バイポーラ動作: HBMテスト時にLDMOSのドレインに正の電圧を印加すると、PN接合部でインパクトイオンが発生し、ドレイン/ボディ/ソースがそれぞれコレクター/ベース/エミッターとなりコレクター電流が流れる現象のこと。このコレクター電流がSi表面で電流集中して高熱が発生しSiが溶融することで素子破壊に至る。
注5 當該技術の詳細はISPSD2017において株式會社東芝(分社化による東芝デバイス&ストレージ設立前?,F在、該當部門は東芝デバイス&ストレージの組織。)が発表した論文を參照。(論文タイトル: “HBM robustness optimization of fully isolated Nch-LDMOS for negative input voltage using unique index parameter.”)

HBM耐量とバックゲート比率の関係性(當社調べ)

HBM耐量とバックゲート比率の関係性(當社調べ)

耐圧による寄生バイポーラ動作の違いを示すESDシミュレーション結果(當社調べ)

耐圧による寄生バイポーラ動作の違いを示すESDシミュレーション結果(當社調べ)
 

低耐圧(40V)では橫方向の寄生バイポーラ動作が支配的だが、高耐圧(96V)では縦方向にも寄生バイポーラが有効に動作する。



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