<研發中GaN元件的特點>

ROHM即將推出的GaN元件具有以下特點:

1.採用ROHM獨創結構,將閘極-源極額定電壓提高至8V

一般耐壓200V以下的GaN元件閘極驅動電壓為5V,而其閘極-源極額定電壓為6V,電壓餘量僅有1V。一旦超過元件的額定電壓,就可能會產生劣化和損壞等可靠性問題,這時就需要對閘極驅動電壓進行高精度的控制,這也因此成為阻礙GaN元件普及的重大瓶頸。
針對上述課題,ROHM透過獨創結構,成功地將閘極-源極間的額定電壓從6V提高到了業界頂級的8V。這使元件工作時的電壓餘量達到一般產品的三倍,開關工作過程中即使產生了超過6V的過衝電壓,元件也不會劣化,因此有助提高電源電路的可靠性。

2.使用在電路板上易於安裝且具有出色散熱性的封裝

該GaN元件所採用的封裝形式,具有出色的散熱性能且通用性更高,因此在可靠性和可安裝性方面擁有不錯的實績,也將使現有矽元件的替換工作和安裝製程中的操作更加容易。此外透過採用銅片鍵合封裝技術,使寄生電感值比傳統封裝降低了55%,在設計高頻工作電路時,可以更大程度地發揮出元件性能。

3.與矽元件相比,開關損耗降低了65%

該GaN元件不僅提高了閘極-源極額定電壓,還採用了低電感封裝,更能夠更大程度地發揮元件性能,與矽元件相比,開關損耗可減少約65%。

<應用範例>

?資料中心和基地臺等48V輸入降壓轉換器電路
?基地臺功率放大器裝置的升壓轉換器電路
?D類音訊放大器
?LiDAR驅動電路、攜帶式裝置的無線充電電路


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