ROHM即將推出的GaN元件具有以下特點：
一般耐壓200V以下的GaN元件閘極驅動電壓為5V，而其閘極-源極額定電壓為6V，電壓餘量僅有1V。一旦超過元件的額定電壓，就可能會產生劣化和損壞等可靠性問題，這時就需要對閘極驅動電壓進行高精度的控制，這也因此成為阻礙GaN元件普及的重大瓶頸。
針對上述課題，ROHM透過獨創結構，成功地將閘極-源極間的額定電壓從6V提高到了業界頂級的8V。這使元件工作時的電壓餘量達到一般產品的三倍，開關工作過程中即使產生了超過6V的過衝電壓，元件也不會劣化，因此有助提高電源電路的可靠性。
該GaN元件所採用的封裝形式，具有出色的散熱性能且通用性更高，因此在可靠性和可安裝性方面擁有不錯的實績，也將使現有矽元件的替換工作和安裝製程中的操作更加容易。此外透過採用銅片鍵合封裝技術，使寄生電感值比傳統封裝降低了55％，在設計高頻工作電路時，可以更大程度地發揮出元件性能。
該GaN元件不僅提高了閘極-源極額定電壓，還採用了低電感封裝，更能夠更大程度地發揮元件性能，與矽元件相比，開關損耗可減少約65％。
