當社は、小~中容量IGBT/MOSFETのゲート絶縁駆動用に薄型SO6Lパッケージのフォトカプラー「TLP5751H」「TLP5752H」「TLP5754H」を製品化しました。
新製品は、最大動作溫度定格を既存製品[注1]の110 °Cから125 °Cに高めました。また、主要特性を動作溫度定格 (Ta=−40~125 °C) で規格化しましたので、熱設計マージンの確保や設計がしやすくなります。
パッケージは、高さが最大2.3 mmの薄型のため、セット基板上での部品配置の自由度向上に貢獻します。さらに、當社従來製品[注2]のSDIP6 パッケージ[注3]のランドパターンに実裝可能です。このため、基板裏面への実裝や高さ制限のある場所での置き換えが可能です。

[注1] 既存製品 : TLP5751、TLP5752、TLP5754
[注2] 従來製品 : TLP700H、TLP701H
[注3] パッケージの高さ : 4.15 mm (max)

特?

用途

IGBT/MOSFETのゲート絶縁駆動

製品仕様

(特に指定のない限り、@Ta=−40~125 °C)

品番
パッケージ SO6L
Rail-to-rail出力 搭載
絶対最大定格 ピーク出力電流 IOPH、IOPL (A) ±1.0 ±2.5 ±4.0
電気的特性 電源電圧 VCC min / max (V) 15 / 30
供給電流 ICCH、ICCL max (mA) 3.0
スレッショルド入力電流 (L/H)
IFLH max (mA)
4
スイッチング特性 伝搬遅延時間 tpLH、tpHL max (ns) 150
伝搬遅延スキュー tpsk min / max (ns) −80 / +80
コモンモード過渡耐性
CMH、CML min (kV/μs)
@Ta=25 °C
±35

端子配置図

これは、薄型?高溫動作対応で基板裏面や高さ制限のある場所でも使えるIGBT/MOSFETゲート駆動用フォトカプラー : TLP5751H、TLP5752H、TLP5754Hの端子配置図です。

応用回路例

これは、薄型?高溫動作対応で基板裏面や高さ制限のある場所でも使えるIGBT/MOSFETゲート駆動用フォトカプラー : TLP5751H、TLP5752H、TLP5754Hの応用回路例です。


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