＜背景＞

近年、車の電裝化に伴い、自動車1臺あたりにおける電子部品、半導體部品點數は増加傾向にあります。そのため、限られたスペースの中で多くの部品が実裝され、部品の高密度化が進んでいます。例えば、車載ECU1個あたりの半導體と積層セラミックコンデンサの平均搭載數量は、2019年の186個※から、2025年には230個※へと3割近く増加すると予想されています。高密度化が進むこれらの車載アプリケーションにおいて、市場からは小型化の要求も高まっており、小型と高放熱を両立できる下面電極パッケージの検討が進んでいます。
一方、車載部品においては、信頼性確保のために部品実裝後にAOIが実施されていますが、下面電極パッケージは電極が下面にしかないため、半田付けの確認ができず、車載基準でのAOIが困難でした。
新製品はローム獨自のWettable Flank技術によりこれらの課題をクリアし、車載向けとしては業界最小クラスのMOSFETを実現したことで、車載メーカーにおいても採用が進んでいます。今後ロームは、MOSFETのみならず、バイポーラトランジスタやダイオードにおいても製品ラインアップを拡充していきます。

＜特長＞

1. 獨自工法を用いたWettable Flank形成技術により、パッケージ側面の電極部分の高さ125μmを保証

従來技術の下面電極パッケージでは、リードフレームの側面にメッキ加工を施すことができないため、車載で必要とされる半田高さを確保できず、AOIが困難でした。新製品は、ローム獨自のWettable Flank形成技術でリードフレーム上限までのメッキ加工を実現し、1.0mm×1.0mmサイズで業界最高水準となるパッケージ側面電極部分の高さ125μmを保証。下面電極パッケージでも安定した半田フィレットの形成が可能になり、部品実裝後のAOIで確実に半田付け狀態を確認できます。

2. 超小型?高放熱MOSFETへの置き換えで基板の高密度化に対応

新製品は、2.9mm×2.4mmサイズ（SOT-23パッケージ）と同等の性能を1.0mm×1.0mmサイズ（DFN1010パッケージ）で実現したことで、約85％実裝面積を削減可能です。さらに、高放熱の下面電極を採用したことで、通常小型化すると低下する放熱性をSOT-23パッケージに比べて65％向上できます。新製品は、小型化と高放熱化を両立したことにより、機能の増加に伴い基板の高密度化が進んでいる車載ECUやADAS関連機器などのアプリケーションに最適です。

＜ラインアップ＞

品名	極性 [ch]	ドレイン?ソース間耐圧 VDSS [V]	ドレイン電流 ID [A]	駆動電圧 [V]	ドレイン?ソース間オン抵抗RDS(on)[mΩ]
					@VGS=10V		@VGS=4.5V		@VGS=4.0V		@VGS=2.5V		@VGS=1.8V		@VGS=1.5V		@VGS=1.2V
					Typ.	Max.	Typ.	Max.	Typ.	Max.	Typ.	Max.	Typ.	Max.	Typ.	Max.	Typ.	Max.
RV8C010UN	N	20	1.0	1.2	-	-	340	470	-	-	400	560	470	650	540	810	700	1050
RV8L002SN	N	60	0.25	2.5	1700	2400	2100	3000	2300	3200	3000	12000	-	-	-	-	-	-
BSS84X	P	-60	-0.25	-4.5	2800	5300	3500	6400	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

＜アプリケーション例＞

スイッチング用途や逆接続保護用途では汎用的に使用可能