なお、今回當社が開発したディスクリートタイプのGaNパワーデバイスは、ドライバー回路とは一體化されていないため、用途に応じて自由にゲートドライバーICを選択できます。
當社は本技術の詳細を、9月13日から18日までオンラインで開催された半導體國際學會「IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 2020」において発表しました。今後も、GaNをはじめとした次世代パワーデバイスの開発を加速していきます。
注１ GaN HEMT：窒化ガリウム高電子移動度トランジスタのこと?，F在GaNパワーデバイスとして実用化されているデバイス構造。
注２ 閾値：トランジスタをオンさせるゲート?ソース間電圧のこと。閾値電圧が高い場合、ゲート電圧の変動に対してもGaN HEMTが誤ってオン動作するリスクが減る。
注３ 高溫?高電圧加速試験を行い、通常電源用途等で使用される500Vのバイアス狀態で1000年以上の予測壽命がある結果を確認した。
