特長

 
  • ドレイン?ソース間オン抵抗×ゲート?ドレイン間電荷量を 約40 %[注3]低減しスイッチング電源の効率向上

[注3] 従來世代DTMOSIV-Hシリーズと比べて

用途

 

産業機器のスイッチング電源

  • データセンター (サーバー電源など)
  • 太陽光発電のパワーコンディショナー
  • 無停電電源裝置

製品仕様

(@Ta=25 °C)

品番 パッケージ 極性 絶対最大定格 ドレイン?
ソース間
オン抵抗
RDS(ON)
max
@VGS=10 V
(Ω)
ゲート
入力
電荷量
Qg
typ.
(nC)
ゲート?
ドレイン間
電荷量
Qgd
typ.
(nC)
入力容量
Ciss
typ.
(pF)
従來世代
シリーズ品番
(DTMOSIV-H)
ドレイン?
ソース間
電圧
VDSS
(V)
ドレイン
電流
(DC)
ID
(A)
TK110N65Z TO-247 N-ch 650 24 0.11 40 11 2250 TK25N60X
TK110Z65Z TO-247-4L 650 24 0.11 40 11 2250 TK25Z60X
TK110A65Z TO-220SIS 650 24 0.11 40 11 2250 TK25A60X
TK125V65Z DFN8x8 650 24 0.125 40 11 2250 TK25V60X
TK155A65Z TO-220SIS 650 18 0.155 29 8 1635 TK20A60W[注4]
TK170V65Z DFN8x8 650 18 0.17 29 8 1635 TK20V60W[注4]
TK190A65Z TO-220SIS 650 15 0.19 25 7.1 1370 TK16A60W[注4]
TK210V65Z DFN8x8 650 15 0.21 25 7.1 1370 TK17V65W[注4]

[注4] DTMOSIVシリーズ

內部回路構成図

これは、電源の高効率化に貢獻する新世代スーパージャンクション構造N-chパワーMOSFET「DTMOSVIシリーズ」のラインアップ拡充: TK110N65Z、TK110Z65Z、TK110A65Z、TK125V65Z、TK155A65Z、TK170V65Z、TK190A65Z、TK210V65Zの內部回路構成図です。

応用回路例

これは、電源の高効率化に貢獻する新世代スーパージャンクション構造N-chパワーMOSFET「DTMOSVIシリーズ」のラインアップ拡充: TK110N65Z、TK110Z65Z、TK110A65Z、TK125V65Z、TK155A65Z、TK170V65Z、TK190A65Z、TK210V65Zの応用回路例です。
 

注: この応?回路例は參考例であり、量産設計に際しては?分な評価を?ってください。また、?業所有権の使?の許諾を?うものではありません。

特性比較[注1]

これは、電源の高効率化に貢獻する新世代スーパージャンクション構造N-chパワーMOSFET「DTMOSVIシリーズ」のラインアップ拡充: TK110N65Z、TK110Z65Z、TK110A65Z、TK125V65Z、TK155A65Z、TK170V65Z、TK190A65Z、TK210V65Zの特性比較です。

[注5] 測定データの平均値



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