當社は、データセンターや通信基地局などの産業機器向けスイッチング電源に適した最新世代プロセスを採用した、80V耐圧NチャネルパワーMOSFET 「U-MOS X-H(ユー?モス?テン?エイチ)シリーズ」を発売しました。表面実裝タイプパッケージSOP Advance採用の「TPH2R408QM」、TSON Advance採用の「TPN19008QM」をラインアップし、本日から順次出荷を開始します。

最新世代プロセス「U-MOS X-Hシリーズ」80V耐圧製品は、従來世代プロセス「U-MOS Ⅷ-Hシリーズ」80V耐圧製品と比べて、ドレイン?ソース間オン抵抗を約40%低減しました。さらに、素子構造を最適化し、ドレイン?ソース間オン抵抗とゲート電荷量特性[注1]のトレードオフを改善[注2]しました。これにより、業界トップ[注3]の低損失を実現しました。

當社は、今後も損失を低減する製品のラインアップ拡充を推進し、機器の低消費電力化に貢獻します。

応用機器

 
  • スイッチング電源 (高効率AC-DCコンバーター、高効率DC-DCコンバーターなど)
  • モーター制御機器 (モータードライブなど)

新製品の主な特長

 
  • 業界トップ[注3]の低損失を実現 (オン抵抗とゲート電荷量特性のトレードオフを改善[注2])
  • 業界トップクラス[注3]の低オン抵抗 :

            RDS(ON)=2.43mΩ (max) @VGS=10V (TPH2R40QM)

            RDS(ON)=19mΩ (max) @VGS=10V (TPN19008QM)

  • 高いチャネル溫度定格 : Tch=175℃

新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、@Ta=25℃)

品番

TPH2R408QM

TPN19008QM

絶対最大定格

ドレイン?ソース間電圧  VDSS  (V)

80

80

ドレイン電流 (DC)  ID  (A)

@Tc=25℃

120

34

チャネル溫度  Tch  (℃)

175

175

電気的特性

ドレイン?ソース間オン抵抗

RDS(ON) max  (mΩ)

@VGS=10V

2.43

19

@VGS=6V

3.5

28

ゲート入力電荷量  Qg typ.  (nC)

87

16

ゲートスイッチ電荷量  Qsw typ.  (nC)

28

5.5

出力電荷量  Qoss typ.  (nC)

90

16.5

入力容量  Ciss typ.  (pF)

5870

1020

パッケージ

名稱

SOP Advance

TSON Advance

サイズ typ.  (mm)

5.0×6.0

3.3×3.3



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