東芝電子元件及儲存裝置株式會社(東芝)推出一款驅動中高電流絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)和MOSFET的預驅動光耦 - TLP5231,其適用於工業逆變器和光伏(PV)的功率調節系統。此預驅動光耦內置多種功能[1],其中包括通過監控集電極電壓實現過流檢測。產品於今日起開始出貨。

新型預驅動光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩衝器,來控制中高電流IGBT和MOSFET。

目前現有產品[2]需要使用雙極型電晶體構成的緩衝電路來實現電流放大,這會在工作中消耗基極電流。新產品能夠使用外部互補MOSFET緩衝器,僅在緩衝器MOSFET的柵極充電或放電時消耗電流,有助於降低功耗。

通過改變外部互補MOSFET緩衝器的大小,TLP5231能夠為各種IGBT和MOSFET提供所需的柵極電流。TLP5231、MOSFET緩衝器以及IGBT/MOSFET的配置可用作平臺來滿足系統的功率需求,從而簡化設計。

其他功能包括:在檢測到VCE(sat)過流後使用另一個外部N溝道MOSFET控制“柵極軟關斷時間”;另外,除了能通過監控集電極電壓檢測到VCE(sat)之外,還有UVLO[3]檢測,將任意故障信號輸出到一次側。以上這些現有產品[2]不具備的新特性,能夠讓TLP5231幫助用戶更輕鬆地設計柵極驅動電路。

應用

 
  • IGBT與功率MOSFET柵極驅動(預驅動)
  • 交流電機和直流無刷電機控制
  • 工業逆變器與不斷電供應系統(UPS)
  • 光伏(PV)電源調節系統

產品特點

 
  • 內建有源時序控制的雙輸出,適用於驅動P溝道和N溝道互補MOSFET緩衝器。
  • 當檢測到過流時,通過使用另一個外部N溝道MOSFET實現可配置柵極軟關斷時間。
  • 當監控集電極電壓檢測到過流時或UVLO時,故障信號會輸出到一次側。

產品規格

(Unless otherwise specified, @Ta = -40 to 110°C.)

Part number

TLP5231

Absolute maximum ratings

Peak high-level output current IOPH (A)

-2.5

Peak low-level output current IOPL (A)

+2.5

Electrical characteristics

VOUTP high level output current IOUTPH max (A)

-1.0

VOUTP low level output current IOUTPL min (A)

1.0

VOUTN high level output current IOUTNH max (A)

-1.0

VOUTN low level output current IOUTNL min (A)

1.0

High level supply current (VCC2) ICC2H max (mA)

10.2

Low level supply current (VCC2) ICC2L max (mA)

10.2

High level supply current (VEE) IEEH min (mA)

-9.2

Low level supply current (VEE) IEEL min (mA)

-9.2

Threshold input current (H/L) IFHL max (mA)

3.5

Recommended operating conditions

Total output supply voltage (VCC2-VEE) (V)

21.5 to 30

Negative output supply voltage (VE-VEE) (V)

-15 to -6.5

Positive output supply voltage (VCC2-VE) (V)

15 to 23.5

Switching characteristics

 

Propagation delay time (L/H) tpLH (ns)

100 to 300

Propagation delay time (H/L) tpHL (ns)

100 to 300

Propagation delay skew(device to device)

tpsk (ns)

-200 to 200

High-level common-mode transient immunity

CMH min (kV/μs)

±25

Low-level common-mode transient immunity

CML min (kV/μs)

±25

Function

Protection function

IGBT VCE(sat) detection,

UVLO[4]

Feedback (FAULT): Activates when VCE(sat) detecton, UVLO detection (open-collector output)

Isolation

characteristic

(@Ta = 25°C)

Isolation voltage BVS min (Vrms)

5000

Mechanical
parameters

Clearance distances min (mm)

8.0

Creepage disances min (mm)

8.0

Internal isolation thickness min (mm)

0.4



被公疯狂玩弄的年轻人妻,无码av免费一区二区三区四区,波多野结衣乳巨码无在线,国产av永久精品无码