東芝電子元件及儲存裝置株式會社(東芝)推出新一代650V Superjunction功率MOSFET – TK040N65Z其用於資料中心的伺服器電源、太陽能(PV)功率調節器、不斷電系統(UPS)及其他工業應用。此IC已開始量產出貨。

TK040N65Z為東芝DTMOS VI系列首款650V元件,支援57A連續汲極電流(ID)及228A脈衝電流(IDP)。提供0.04Ω(0.033Ω典型值)的超低汲源極導通電阻RDS(ON),以減少電源應用的損耗。更低的電容設計,使其IC成為現代高速電源應用首選元件。

改善並壓低主要性能係數- RDS(ON) x Qgd,電源效率隨之提高。相較於上一代DTMOS IV-H產品,TK040N65Z在此係數降低了40%,表示在2.5kW PFC電路效率表現上將會顯著地上升0.36%[1]。

新產品為工業標準TO-247封裝,不論在傳統設計或是新應用上皆便於使用。

應用方面

 

 

 

產品特色

產品規格

(@Ta=25℃)

Part number TK040N65Z
Package TO-247
Absolute
maximum ratings
Drain-source voltage VDSS (V) 650
Drain current (DC) ID (A) 57
Drain-source On-resistance RDS(ON) max @VGS= 10V (Ω) 0.040
Total gate charge Qg typ. (nC) 105
Gate-drain charge Qgd typ. (nC) 27
Input capacitance Ciss typ. (pF) 6250
Previous series (DTMOS Ⅳ-H) part number TK62N60X
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