Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

SSM6N813R 
 


東芝電子元件及儲存裝置株式會社今日(3月28日)宣布推出搭載高效率靜電放電保護的雙MOSFET IC – SSM6N813R,此新產品適用於需耐高壓及小尺寸的車用產品或裝置,包括LED頭燈驅動IC,並於4月開始量產出貨。

 

新IC – SSM6N13R擁有100V的最大漏源極電壓(VDSS)可確保並適用需要多個LED的車用頭燈產品,高靜電放電抗擾為此提供支援。此新產品採用最新製程,且為TSOP6F封裝(比SOP8封裝小70%),其具備1.5W的允許功耗及低導通電阻。

應用場合

產品特性

產品規格

(@Ta=25℃)

項目
(Ta=25℃)
SSM6N813R
Absolute maximum ratings Drain-source voltage
VDSS (V)
100
Gate-source voltage
VGSS (V)
±20
Drain current
ID (A)
3.5
電器特性 Drain-source on-resistance
RDS(ON) max (mΩ)
VGS=10V 112
VGS=4.5V  154
Input capacitance
Ciss typ. (pF)
242
封裝 TSOP6F 2.9mm×2.8mm; t=0.8mm

Marking (Top view) / Equivalent Circuit



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