東芝デバイス&ストレージ株式會社

SSM6N357R 
 

當社は、メカリレーなどの誘導性負荷のドライブに適した、ドレイン-ゲート端子間にダイオードを內蔵したMOSFET「SSM6N357R」を製品化し、本日から量産、出荷を開始します。
 

新製品は、周辺回路として必要なプルダウン抵抗、シリーズ抵抗、ツェナーダイオードを內蔵しているため、部品の削減ができるだけでなく、実裝スペースの削減にも貢獻します。
 

さらに、新製品はデュアルタイプパッケージ(2in1)を採用しており、當社シングルタイプパッケージ品「SSM3K357R」(2.4 x 2.9 x 0.8 mm)を2個使用する場合と比較して、実裝面積を42%程度低減します。

また、業界標準のTSOP6Fクラスのパッケージと3.0Vの低電圧動作およびAEC-Q101適合により、車載用途をはじめとして幅広い用途への応用が可能です。

応用機器

新製品の主な特長

新製品の主な仕様

(@Ta=25℃)

項目 特性
絶対最大定格 ドレイン?ソース間電圧
VDSS (V)
60
ゲート?ソース間電圧
VGSS (V)
±12
ドレイン電流
ID (A)
0.65
電気的特性 ドレイン?ソース間オン抵抗
RDS(ON) max
(mΩ)
|VGS|=3.0V 2400
|VGS|=5.0V 1800
ゲート入力電荷量
Qg typ. (nC)
1.5
入力容量
Ciss typ. (pF)
43
パッケージ TSOP6F 2.9mm×2.8mm;
t=0.8mm

內部回路構成図

內部回路構成図



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