Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

結合高效率及低雜訊

π-MOS IX series 
 


東芝電子元件及儲存裝置株式會社今日(1月17日)宣布推出「第九代π-MOS」,全新600V平面式MOSFET系列,量產出貨於即日起啟動。


第九代π-MOS系列採用最佳化的晶片設計,與現有的第七代系列相比,其EMI雜訊峰值低5dB[1],但同時又保持了相同水準效率。它提供更大的設計自由度進而助於減少設計的工作量。另外,此系列具備相同的額定雪崩電流和額定直流電流,可輕鬆取代現有的MOSFET。 


東芝為擴大第九代π-MOS系列之產品陣容,往後將陸續推出更多500V、 600V和650V元件,提供客戶更多產品選擇。

應用方面

產品特色

產品規格

產品型號 封裝 絕對最大額定值 RDS(ON)
MAX (Ω)
at VGS=10V
Qg
Typ.
(nC)
Ciss
Typ.
(pF)
現有(π-MOS VII 系列)
產品型號
VDSS (V) ID (A)
TK650A60F TO-220SIS 600 11 0.65 34 1320 TK11A60D
TK750A60F TO-220SIS 600 10 0.75 30 1130 TK10A60D
TK1K2A60F TO-220SIS 600 6 1.2 21 740 TK6A60D (1.25Ω)
TK1K9A60F TO-220SIS 600 3.7 1.9 14 490 TK4A60DB (2.0Ω)

Note:

[1] TK10A60D與TK750A60F相比較(65W筆記型電腦變壓器在200MHz區域內)。



欧美特黄A级高清免费大片A片,国产日产欧洲无码视频,人妻在厨房被色诱 中文字幕,裸体美女扒开尿口视频在线播放