東芝半導體與儲存產品公司今(5月25日)宣布推出100V“TLP3823”具有3A驅動電流,及200V/1.5A 之“TLP3825”產品,加強大電流光繼電器產品陣容以替代機械式繼電器,並即日開始出貨。
延續現有60V/5A “TLP3547”,驅動電流高於1A的新產品也將繼續延伸光繼電器的應用範圍。詳細規格請參考以下產品比較表。
近年,光繼電器取代機械式繼電器持續加快腳步。東芝光繼電器應用最新的溝槽MOSFET(第八代UMOS)實現超過1A的輸出電流。
與機械式繼電器不同之處,光繼電器沒有物理接觸物的磨損,有利於設定可靠性的優點。光繼電器的使用也支持開發更小也更薄的產品。同時,東芝新型光繼電器也提供了保證脈衝導通電流的優勢,其比連續導通電流大三倍,為安全設計提供了更大的餘裕。
Gartner最新市場調查報告認為東芝為2015年及2016年銷售光耦合器的領先製造商,在2016年以銷售為基礎的市佔率為23%。(資料來源: 2016/3/30 Gartner”2016年全球市佔率半導體元件與應用”)
VOFF=100V(min), ION=3A(max), ION(pulse)=9A(max)@t=100ms, Duty=1/10
VOFF=200V(min), ION=1.5A(max), ION(pulse)=4.5A(max)@t=100ms, Duty=1/10
(@Ta=25℃)
Part Number | Absolute Maximum Rating | On-state Resistance |
Trigger LED current IFT max (mA) |
Off-State Current IOFFmax (µA) @VOFF (V) |
Turn-On time tON typ. (ms) |
Turn-Off Time tOFF typ. (ms) |
Package | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Off-state output terminal Voltage VOFF (V) |
On-state Current ION (A) |
On-state current (pulsed) IONP (A) |
Isolation voltage BVS (Vrms) |
RON typ. (mΩ) |
RON max (mΩ) |
||||||
TLP3547 | 60 | 5 | 15 | 2500 | 22 | 50 | 5 |
1 (@VOFF= 60(V)) |
2.5 | 0.1 | DIP8 |
TLP3823[1] | 100 | 3 | 9 | 2500 | 60 | 150 | 5 |
1 (@VOFF= 100(V)) |
1.5 | 0.1 | |
TLP3825[1] | 200 | 1.5 | 4.5 | 2500 | 250 | 500 | 5 |
1 @VOFF= 200(V)) |
0.25 | 0.1 |
註解
[1] 新產品