當社従來品に比べて保護性能向上と実裝面積削減を実現
 

當社は、スマートフォン、ウェアラブルデバイス、タブレットPCなどのモバイル機器で使用するUSB Type-C™、HDMI™等の高速インターフェース回路を、靜電気放電(ESD)やサージ電圧などから保護するマルチビットの低容量TVSダイオード (ESD保護ダイオード)の新製品4品種の出荷を本日から開始します。新製品は、當社従來品[注1]に比べて低ダイナミック抵抗、低クランプ電圧を実現すると共に、小型LGAパッケージ[注2]を採用し、実裝面積を約30%削減しています。
 

スマートフォン、ウェアラブルデバイス、タブレットPC、ノートブックPC、各種OA機器、LCDパネルなど各種電子機器の小型化、高機能化に合わせて、それらに搭載される半導體部品も微細化が進んでいます。そのため、それらの部品をESDやサージなどから保護するESD保護用デバイスの重要性も高まってきています。また、USB Type-C™やHDMI™などの高速信號インターフェース保護用途として使う場合は、伝送信號の減衰を考慮し、低容量の製品が使用されます。

今回當社がラインアップに追加した新製品は、このような電子機器の高速インターフェース保護向けに特性や端子配置を工夫したTVSダイオードです。當社獨自のEAP-IVプロセス[注3]の採用により低ダイナミック抵抗と低クランプ電圧を実現し、ESDやサージによる後段デバイスへの影響を當社従來品[注4]よりも低減し、保護性能を向上させます。また、當社従來品[注1]に比べて実裝面積を約30%削減した小型LGAパッケージで、差動信號インターフェースの仕様に合わせて、3.3V信號ラインと5V信號ラインの2シリーズでそれぞれ4ビットと2ビットの2製品、合計4製品をそろえました。

新製品の主な仕様

品番

ビット VRWM
Max(V)

VESD
(kV) [注5]

VBRMin/Max
@IBR=1mA
(V)

RDYN Typ.
@8~16 A
(Ω) [注6]
VC Typ.
@16 A
(V) [注6]
Ct Typ.
@0V,
(pF)
パッケージ
DF5G5M4N 4ビット 3.6 ±20 4.0 / 6.0 0.8 22 0.2 DFN5
DF5G6M4N 4ビット 5.5 ±20 5.6 / 8.0 0.8 22 0.2
DF6D5M4N 2ビット 3.6 ±20 4.0 / 6.0 0.8 22 0.2 DFN6
DF6D6M4N 2ビット 5.5 ±20 5.6 / 8.0 0.8 22 0.2

[注1]當社1ビット製品

[注2]4ビット製品「DF5G5M4N」と「DF5G6M4N」の「DFN5」パッケージのサイズは1.3 × 0.8mm、2ビット製品「DF6D5M4N」と「DF6D6M4N 」の「DFN6」パッケージのサイズは1.25 × 1.0mm。

[注3]東芝のオリジナルプロセス:ESD Array Process IV

[注4]當社4ビット製品「DF5G7M2N」と比べてダイナミック抵抗を約20%低減しています。

[注5]IEC61000-4-2 (接觸放電) 條件

[注6]TLPパラメータ: ZO=50Ω, tp=100ns, tr=300ps, averaging window t1=30ns to t2=60ns

*USB Type-CはUSB Implementers Forumの商標または登録商標です。
*HDMIはHDMI Licensing, LLCの商標または登録商標です。

新製品を含む東芝のTVSダイオード 製品の詳細については下記ホームページをご覧ください。

https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/diode/esd-protection-diode.html

 


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