當社従來品に比べて保護性能向上と実裝面積削減を実現
當社は、スマートフォン、ウェアラブルデバイス、タブレットPCなどのモバイル機器で使用するUSB Type-C™、HDMI™等の高速インターフェース回路を、靜電気放電(ESD)やサージ電圧などから保護するマルチビットの低容量TVSダイオード (ESD保護ダイオード)の新製品4品種の出荷を本日から開始します。新製品は、當社従來品［注１］に比べて低ダイナミック抵抗、低クランプ電圧を実現すると共に、小型LGAパッケージ［注２］を採用し、実裝面積を約30%削減しています。
スマートフォン、ウェアラブルデバイス、タブレットPC、ノートブックPC、各種OA機器、LCDパネルなど各種電子機器の小型化、高機能化に合わせて、それらに搭載される半導體部品も微細化が進んでいます。そのため、それらの部品をESDやサージなどから保護するESD保護用デバイスの重要性も高まってきています。また、USB Type-C™やHDMI™などの高速信號インターフェース保護用途として使う場合は、伝送信號の減衰を考慮し、低容量の製品が使用されます。
今回當社がラインアップに追加した新製品は、このような電子機器の高速インターフェース保護向けに特性や端子配置を工夫したTVSダイオードです。當社獨自のEAP-IVプロセス［注３］の採用により低ダイナミック抵抗と低クランプ電圧を実現し、ESDやサージによる後段デバイスへの影響を當社従來品［注４］よりも低減し、保護性能を向上させます。また、當社従來品［注１］に比べて実裝面積を約30%削減した小型LGAパッケージで、差動信號インターフェースの仕様に合わせて、3.3V信號ラインと5V信號ラインの2シリーズでそれぞれ4ビットと2ビットの2製品、合計4製品をそろえました。
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品番 |
ビット |
VRWM Max(V) |
VESD |
VBRMin/Max |
RDYN Typ. @8～16 A (Ω) [注6] |
VC Typ. ＠16 A (V) [注6] |
Ct Typ. @0V, (pF) |
パッケージ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DF5G5M4N | 4ビット | 3.6 | ±20 | 4.0 / 6.0 | 0.8 | 22 | 0.2 | DFN5 |
| DF5G6M4N | 4ビット | 5.5 | ±20 | 5.6 / 8.0 | 0.8 | 22 | 0.2 | |
| DF6D5M4N | 2ビット | 3.6 | ±20 | 4.0 / 6.0 | 0.8 | 22 | 0.2 | DFN6 |
| DF6D6M4N | 2ビット | 5.5 | ±20 | 5.6 / 8.0 | 0.8 | 22 | 0.2 |
［注1］當社1ビット製品
［注2］4ビット製品「DF5G5M4N」と「DF5G6M4N」の「DFN5」パッケージのサイズは1.3 × 0.8mm、2ビット製品「DF6D5M4N」と「DF6D6M4N 」の「DFN6」パッケージのサイズは1.25 × 1.0mm。
［注3］東芝のオリジナルプロセス：ESD Array Process IV
［注4］當社4ビット製品「DF5G7M2N」と比べてダイナミック抵抗を約20％低減しています。
［注5］IEC61000-4-2 (接觸放電) 條件
［注6］TLPパラメータ: ZO=50Ω, tp=100ns, tr=300ps, averaging window t1=30ns to t2=60ns
＊USB Type-CはUSB Implementers Forumの商標または登録商標です。
＊HDMIはHDMI Licensing, LLCの商標または登録商標です。
新製品を含む東芝のTVSダイオード 製品の詳細については下記ホームページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/diode/esd-protection-diode.html
